ইলেক্ট্রনিক্স

Electronics

P টাইপ ও n টাইপ অধৃপরিবাহী

সিলিকনের বহির্খোলকে থাকে চারটি ইলেকট্রন যা যোজন ইলেক্ট্রন রূপে কাজ করে। সিলিকনের সবচেয়ে স্থিত গঠনের জন্য এর চারটি ইলেক্ট্রন লাভ করা অর্থাৎ ভাগাভাগি বা শেয়ার করার প্রবণতা থাকে। বিশুদ্ধ সিলিকন পরমাণুর বহিঃস্থ যোজন ইলেকট্রন সহযোগী অনুবন্ধের মাধ্যমে সংযুক্ত হয়, ফলে সিলিকনে কোনো মুক্ত ইলেকট্রন থাকে না। বিশুদ্ধ সিলিকন তাই উত্তম অন্তরক। সামান্য তাপমাত্রা বৃদ্ধি করলে সিলিকনের কিছু কিছু অনুবন্ধ ভেঙ্গে যায় এবং ইলেকট্রন চলাচলের জন্য মুক্ত হতে থাকে, ফলে তড়িৎ প্রবাহের সৃষ্টি হয়। সিলিকনকে আরেক ভাবে তড়িৎ পরিবাহী করা যায়। এই কাজটি করা হয় বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে খুব সামান্য ভেজাল নিয়ন্ত্রিতভাবে মিশিয়ে। একে বলা হয় ডোপায়ন (Doping)। ডোপিত মৌলের প্রকৃতি থেকে নির্ধারিত হয় সিলিকন p-টাইপ (ধনাত্মক টাইপ) হবে না n-টাইপ (ঋণাত্মক টাইপ) হবে। যে সব মৌলের (যেমন: অ্যালুমিনিয়াম, বোরন, গ্যালিয়াম বা ইনডিয়াম) তিনটি যোজন ইলেকট্রন থাকে, তাদের ভেজাল হিসেবে ব্যবহার করা হলে সিলিকন বা জার্মেনিয়াম p-টাইপ বস্তুতে p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে পরিণত হয়। যে সকল মৌলের (যেমন; ফসফরাস, আর্সেনিক বা অ্যান্টিমনি) বহির্খোলকে পাঁচটি ইলেকট্রন থাকে, তাদের ভেজাল হিসেবে ব্যবহার করা হলে সিলিকন বা জার্মেনিয়াম n-টাইপ বস্তুতে বা n-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে পরিণত হয়।

অর্ধপরিবাহী ডায়োড (Semiconductor Diode)

একটি p টাইপ অর্ধপরিবাহী ও একটি n টাইপ অর্ধপরিবাহী পাশাপাশি জোড়া লাগিয়ে p-n জংশন ডায়োড তৈরি করা হয়। এটি মূলত রেকটিফায়ার হিসেবে কাজ করে। রেকটিফায়ার এসি (পরিবর্তী) প্রবাহকে ডিসি (একমুখী) প্রবাহে রূপান্তর করে।

ক) সন্মুখী ঝোঁক (Forward Bias) অবস্থায় থাকলে p-n জংশন দিয়ে তড়িৎপ্রবাহ চলবে।

খ) বিমুখী ঝোঁক (Reverse Bias) অবস্থায় থাকলে p-n জংশন দিয়ে কোন তড়িৎ প্রবাহ চলে না।

অর্ধপরিবাহী ডায়োড (Semiconductor Diode)

একটি p টাইপ অর্ধপরিবাহী ও একটি n টাইপ অর্ধপরিবাহী পাশাপাশি জোড়া লাগিয়ে p-n জংশন ডায়োড তৈরি করা হয়। এটি মূলত রেকটিফায়ার হিসেবে কাজ করে। রেকটিফায়ার এসি (পরিবর্তী) প্রবাহকে ডিসি (একমুখী) প্রবাহে রূপান্তর করে।

ক) সন্মুখী ঝোঁক (Forward Bias) অবস্থায় থাকলে p-n জংশন দিয়ে তড়িৎপ্রবাহ চলবে।

খ) বিমুখী ঝোঁক (Reverse Bias) অবস্থায় থাকলে p-n জংশন দিয়ে কোন তড়িৎ প্রবাহ চলে না।

অ্যাডাপ্টার (Adapter)

একটি বৈদ্যুতিক সিস্টেম বা ডিভাইসের জন্য বেমানান কোন বৈশিষ্ট্যকে এডাপ্টারের সাহায্যে সিস্টেমটির জন্য গ্রহণযোগ্য বৈশিষ্ট্যকে এডাপ্টারের সাহায্যে সিস্টেমটির জন্য গ্রহণযোগ্য বৈশিষ্টে রূপান্তর করা হয়। যেমন: মোবাইলের চার্জার এক ধরণের অ্যাডাপ্টার কারণ এটি বাসা-বাড়ীর বিদ্যুৎ সরবরাহ লাইনের ২২০ ভোল্ট এসি প্রবাহ মোবাইলের জন্য গ্রহণযোগ্য নিম্ন ভোল্টেজ ডিসি প্রবাহে রূপান্তর করে।

ট্রানজিস্টর

১৯৪৮ সালে তার ট্রানজিস্টর (Trasistor) আবিষ্কৃত হবার পর কম্পিউটারে ভাল্বের বদ্লে ট্রানজিস্ট্ররের ব্যবহার শুরু হয়। ট্রানজিস্টর ব্যবহৃত কম্পিউটার ছোট হয়ে যেতে শুরু করে। কম্পিউটার গুলো আগের কম্পিউটার অপেক্ষা উন্নত ছিল। দুটি অর্ধপরিবাহী ডায়োড কি পাশাপাশি যুক্ত করে একটি অর্ধপরিবাহী ট্রায়োড তৈরি করা হয়। একে ট্রানজিস্টর বলা হয়। আমেরিকার বেল ল্যাবরেটরিতে ১৯৪৮ সালে জন বারডিন (Jhon Bardeen), উইলিয়াম শকলে (William Shocley) এবং ওয়াল্টার ব্রাটেইন (Walter Brattain) ট্রানজিস্টর উদ্ভাবন করেন। ট্রানজিস্টর আবিষ্কারের মধ্য দিয়ে ইলেকট্রনিক্স বিপ্লব শুরু হয়। ট্রানজিস্টর তৈরিতে অর্ধপরিবাহী (Semiconductor) এর প্রয়োজন হয়। এতে অর্ধপরিবাহী হিসাবে সিলিকন বা জার্মেনিয়াম ব্যবহৃত হয়।

অ্যামপ্লিফায়ার (Amplifier)

যে যন্ত্র এর অন্তর্গামীতে (Input) প্রদত্ত সংকেতকে বর্হিগামীতে বিবর্ধিত (Amplify) করে, তাকে অ্যামপ্লিফায়ার বলে। কার্যক্ষমতার উপর নির্ভর করে তিন শ্রেণীর অ্যামপ্লিফায়ার আছে। যথা- এ ম্রেণী, বি শ্রেণী, সি শ্রেণী। এ ক্লাস বা শ্রেণী অ্যামপ্লিফায়ার কার্যক্ষমতা সবচেয়ে বেশি, প্রায় ৯০%।

সমন্বিত বর্তনী (Integrated Circuit or I.C)

আধুনিক কম্টিউটারের দ্রুত অগ্রগতির মূলে রয়েছে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট। ১৯৫৮ সালে জ্যাক কেলবি (Jack Kilby) নামক একজন বিজ্ঞানী Transistor, Registor এবং Capacitor সমন্বিত করে একটি সার্কিট তৈরি করেন যা IC নামে পরিচিতি লাভ করে। আইসি ব্যবহারের ফলে কম্পিউটারের আকার ছোট হয় এবং এর ক্ষমতা অনেক বেড়ে যায়- সঙ্গে সঙ্গে কমে আসে কম্পিউটারের মূল্য এবং হিসাব-নিকাশের সময়।